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      3. 技術資料

        關于鉭電容的放電時間問題

        2020-06-16 14:05:58 sont 2429

         "    去耦鉭電容主要是去除高頻如RF信號的干擾,干擾的進入方式是通過電磁輻射。而實際上,芯片附近的電容還有蓄能的作設,V0 為鉭電容上的初始電壓值;V1 為鉭電容最終可充到或放到的電壓值;Vt 為t時刻鉭電容上的電壓值。
        則,
            Vt="V0"+(V1-V0)* [1-exp(-t/RC)]
        或,
            t = RC*Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]

        例如,電壓為E的電池通過R向初值為0的鉭電容C充電V0=0,V1=E,故充到t時刻電容上的電壓為:
            Vt="E"*[1-exp(-t/RC)]

        再如,初始電壓為E的電容C通過R放電
        V0=E,V1=0,故放到t時刻電容上的電壓為:
            Vt="E"*exp(-t/RC)

        又如,初值為1/3Vcc的鉭電容C通過R充電,充電終值為Vcc,問充到2/3Vcc需要的時間是多少?
        V0=Vcc/3,V1=Vcc,Vt=2*Vcc/3,

            t="RC"*Ln[(1-1/3)/(1-2/3)]=RC*Ln2
             =0.693RC

        注:以上exp()表示以e為底的指數函數;Ln()是e為底的對數函數

        本文編輯鉭電容生產廠家-松填科技(new.sont.cc)技術部

        "

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